配備超高壓UV燈與EXCIMER燈,應(yīng)用在提升乾蝕刻時(shí)的耐電漿性、離子注入時(shí)的阻劑脫氣與燒制、電荷消除、疲乏消除、及 Low-k Cure等各種用途。
?高照度、均一度照射
初期照度是650mw/cm2以上(220~320nm)、且照度均勻度保證在±10%。
?采用依據(jù)SEMI規(guī)定之裝載接口的EFEM(φ12寸裝置)
φ12寸用裝置、采用裝載接口(依據(jù)SEMI) 的EFEM、
以及搬運(yùn)系統(tǒng) 采用無塵快速的2Finger搬運(yùn)機(jī)器人、以達(dá)到高Throughput。
?采用WindowsNT PC的高操作性與以GEM300為準(zhǔn)(φ12寸裝置)
φ12寸用裝置采用Windows NT PC,達(dá)到極 佳的操作性。亦符合GEM300規(guī)定。
?燈管裝置更換容易
燈管更換時(shí)無須調(diào)整,并降低裝置的停機(jī)時(shí)間。
?配備照度一定方式與積累計(jì)算曝光方式(φ12寸裝置:選購配備)
使用照度一定方式、并積累計(jì)算曝光方式、達(dá)到制程的穩(wěn)定化與一致化。
?豐富的產(chǎn)品系列
對(duì)應(yīng)φ6寸用裝置(可與φ5寸以下共用)、φ8寸用裝置( 可與φ6寸以下共用)、
以及φ12寸專用裝置等所有工具匣。此外,亦備有準(zhǔn)分子(Excimer)燈的φ8寸用裝置。
2Finger搬運(yùn)機(jī)器人
燈光裝置
?提高乾蝕時(shí)的耐電漿性
?離子注入時(shí)的阻劑脫氣及燒入
?電荷消除與消除疲乏
?Low-k Cure
?薄膜磁頭之層間絕緣膜形成
?化合物半導(dǎo)體的Lift-Off工程
?表面改質(zhì)
?CCD與CMOS影像儀的去色(bleaching)等